全面曝光就是利用曝光灯对感光鼓表面进行全面、充分、均匀的光照，使感光鼓光导层(硫化镉)的电阻率下降成为电的良导体。对于明区由于二次充电/图像曝光时就已失去全部电荷，故全面曝光对基不发生任何作用，其表面电位不变;对于暗区，由于全面曝光使得绝缘层下面的光导层变为导体，使光导层与绝缘层界面处多余的负电荷穿过光导膜层与导电基体感应上来的一部分负电荷则因有绝缘层表面正电荷的吸引，继续保持平衡状态。这样在感光鼓绝缘层表面和导电基体间就形成电位差，最终使得感光鼓绝缘层表面暗区的电位迅速升高。因此，全面曝光的结果，使得感光鼓明区和暗区形成了明显的电位差，最终在感光鼓绝缘层表面上形成了表面电位随光学图像明暗变化的高反差静电潜像。
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